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[充电器] 【基础设计】如何设计一个DC-DC升压开关电路(7/5更新)

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发表于 2012-6-25 17:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 rollei120 于 2012-9-21 20:41 编辑

论坛上经常有人问,移动电源的输入电容,电感要用多大的?如何改造?而我看到的回答,大多都是模棱两可的。于是想写写如何设计好一个电源。
今天开始讲讲如何设计一个DC-DC的升压(booster)开关电源。简单一点,从现成的开关IC入手,(分立元件,我也不会)。找一个booster的IC,
能把锂电(3.0-4.2V)升压到5.0V,最大输出电流能到1A。



我找了这个IC:intersil公司的ISL97516.他的规格书:
http://www.intersil.com/content/dam/Intersil/documents/fn92/fn9261.pdf

在选择IC的时候,我们需要先看看这个IC的主要指标,是否适合。
1,  这是一个异步整流的IC,规格书上说效率>90%,当然这要看输入电压的高低了。
2,  2.0A,0.2欧姆的功率MOS管(在5v输出时,最大在1A左右,后面的规格里有说的)
3,  输入电压:2.3~5.5V(符合锂电池的电压范围)
4,  可调输出电压,最大到25V(也符合我们要升到5V的要求)
5,  600KHz/1.2MHz可选开关频率。
6,  内建温度保护

                               
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电路看上去也很简单:

                               
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Pin脚的定义这些,我就不啰嗦了,大家可以看规格书。我重点讲一下“Applicationinformation”应用的信息。
首先,我们来学习一下工作的原理。国外公司的规格书,写的都很详细,会把一些理论的东西附上,有助于工程师理解工作的原理。

                               
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图10(figure10)是一个抽象化了的升压(Boost)示意图,里面画出了所有关键的元件。简单来说,Boost工作时有2个循环。第一个循环(cycle),见图11(figure11)

                               
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第一个cycle里,内部的场效应管是导通的,肖特基管反向运作,如图中所示,MOS管短路到地,二极管相当于开路,输出端的电流不会回流。输出端的电流,靠Cout放电维持。输入电压Vin会通过电感L,电感的电流会以斜率Vin/L上升,在设个过程中,能量会存储在电感中。电感电流的变化量可以用下面这个公式(EQ.1)表示:

                               
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其中D是占空比(DutyCycle)
到第二个cycle时,功率场效应管FET关闭,肖特基二极管正向导通,具体见图12(Figure12)

                               
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存储在电感L中的能量,开始释放,经过肖特基管D留到输出端,同时给输出电容Cout充电。肖特基管D位于电感L和输出Vout之间,因此电感L两端的压降近似为Vin-Vout(肖特基的压降很小,0.2v左右,可忽略)。于是电感L在第二个cycle中的电流变化量可用下面这个公式表示:

                               
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电感在这两次循环(cycle)中,存储和释放的电流应该一样(理想状态),于是有下面的公式:

                               
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这里我们可用得到一个很有用的公式:Vout/Vin=1/(1-D)。 稍微改变一下,我们可以得出占空比的公式:D=1-Vin/Vout。这在以后的计算中,我们会用到这个公式。
补一张电感的电流图。电感的电流在开关周期中,呈现下面的样子,储能阶段,电流上升,释放能量阶段,电流下降。可以看到电流会有个峰值 Ipk。这个峰值也是我们选择电感时要参考的一个指标。具体会在以后提到。

                               
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设置输出电压
接下来,我们看下如何设置输出电压的大小(或者是改变你手中移动电源的输出电压),根据规格书,计算公式是这样的:
Vout=Vfb X (1+R1/R2)
Vfb是IC内部的参考电压,对于ISL97516来说是1.294V。其他IC可以参考他们的规格书。R1和R2是两个外部的反馈电阻。在最前面的具体电路图中,可以看到这两个电阻,上面标了R1=85.2K和R2=10K,这个值是对输出设置12V而言的。这里再画一个示意图:

                               
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FB为IC的反馈脚,VDD_OUT是电压输出端,反馈电阻R1直接接到输出端。我这里还多了个R3,下面会说到它。
同时规格书还规定了,这个电阻的网络值不应小于100K,即R1+R2<100K。当然R1+R2的值如果太小的话,会影响空载时的耗电。
如果我们要设置输出电压为5V,则5=1.294VX (1+R1/R2)。公式里有2个未知数,如何确定?首先要看你手上有什么电阻,比如10K的比较常见,那么我们可以设R2=10K,这样可以算出R1=28.64K。且10+28.64=38.64<100K符合要求。可是28.64k,这个 电阻值并不常见,怎么办?我们可以用2个电阻并联的方法去解决,也就是上面图中的R3的作用,想办法找两个现成的电阻值,并出28.64K来。我们可以用:R1=220K,R3=33K,并出28.69K的值。这样可以得到Vout=5.0V。
到这里我们可以知道如何调整电压了,对于其他IC来说,这个公式都是差不多的,只是你需要看规格书里提到的内部参考电压的值以及计算公式,不同的IC,这个值是不一样的。当然改动输出电压,你还需要考虑其他的因素,比如电容的耐压值,电感值,回路参数等。如果小范围改动,问题不大,若是大范围改动,则要考虑更多的因素。具体以后再说。


电感的选择
电感的选择对于开关电源来说非常重要,这会影响:输出纹波、暂态响应、输出负载能力和效率。电感的选择由输入电压,输出电压,开关频率和最大输出电流决定。
关于电感值,这份规格书里没有给出计算公式,只是说电感的选择范围在2-33uH。我在其他的资料里找到升压booster的电感计算公式,单位是uH:

                               
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说明:Vo输出电压
                Vsw开关管的饱和压降,ISL97516规格书里并没有给出这个值的大小。
                Vd 肖特基管的正向压降。
                Io 设计的最大额定输出电流。
                r 期望的电感纹波比率
                f 开关的频率
                D占空比
看上去挺复杂的,我用一个实际的例子,来计算一下。
1, Vo输出电压,我们是设计一个5V输出的电源,所以Vo=5V
2, VSw和Vd,这里我们可以近似忽略他们,他们的值都在0.2-0.4V左右,一正一负,相互抵消。
3, Io是我们设计时的输出最大额定电流,对于ISL97516,如果输出是5V,这个输出的电流Io是1A
4, r一般我们取30%-40%,这里我们取30%,(越小越好)
5, f开关频率,ISL97516有2个频率可以选择,600KHz和1.2MHz。
6, D占空比,之间我们已经得出占空比的公式了。
下面我开始计算:(先计算频率为600KHz)
占空比D=1-Vin/Vout
锂电的电压范围是3.0-4.2V。
当电池容量比较满时,Vinmax=4.2V,占空比Dmin=1-4.2V/5V=0.16
电感Lmin=VoX D X (1-D)^2 X 1000000/Io/r/f=5V X 0.16 X (1-0.16)^2 X1000000/1A/0.3/600000Hz=3.136uH
当电池就快没电时,Vinmin=3.0V,占空比Dmax=1-3.0V/5V=0.4
电感Lmax=VoX D X (1-D)^2 X 1000000/Io/r/f=5V X 0.4 X (1-0.4)^2 X1000000/1A/0.3/600000Hz=4uH
这里我们计算出2个电感值,一个是低输入电压时的4uH,一个是高输入电压时的3.136uH。我们需要选择高的4uH(保险起见,实际选择时可选择稍高值的,比如4.7uH),这样才能保证在电池快没电时,仍然能保证我们的输出质量。

                               
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对于这个电感的计算公式,我们可以看到,频率f越大,电感值越小,电感值越小,意味着电感的体积越小。如果ISL97516选择1.2mHz时,电感值可取2uH。这也是我们拆开电源时,看到有些用的电感很大,有些很小。很大的我们觉得用料很好,小的则对其指指点点。用电感的大小来判断电源好坏,并不是绝对正确的。
接着我们要知道流过电感的峰值,电感上的电流是不断变化的,且会出现一个最大值,见下图。我们需要知道这个最大值,做为选择电感的依据。

                               
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同样流过电感的峰值也可以用公式计算出来:

                               
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说明:
Iout输出的最大额定电流,这里我们设计的是1A
Vout输出的电压,我们设计的是5V
Vin 输入的电压,我们需要取最小的输入电压,快没有电时,3.0V
FREQ 我们取600kHz。
L则是我们刚才计算出的电感,选用4.7uH。(需要注意单位的换算,1H=10000uH)
IL(peak)=1A X5V/3V + ½ X 3V X (5V-3V)/4.7uH/5V/600KHz=1.88A
我们得出电感上最大的电流为1.88A。我们设计一个5V1A的电源,但电感上流过的最大电流会去到差不多2A!我们回过头来看ISL97516规格书开头的特性,有一条是说集成2.0A的MOSFET。这也是2A场效应管,我们只能做到额定1A5V输出的原因。
好了,到这里我们知道了电感的两个参数:电感值4.7uH和最大电流1.88A。我们可以开始选择电感了。下面这个是TDK电感规格书里的,我们来看看。

                               
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第一栏PartNo.是物料的编号。第二栏是电感值,我们需要4.7uH的。这样VLC5020T-4R
7N符合我们的要求。接下来,我们看第7栏额定电流,刚才那个电感的额定电流最小的 是2.0A,也符合我们1.88A的要求。这样,我们就可以确定VLC5020T-4R7N符合我们设计的要求。
以上是我们选择电感的步骤,计算有些复杂,不知大家是否能看得懂?如有问题,不妨提出来,大家讨论。

为了加深大家对频率和电感之间的关系,我再给个例子。
前面我们已经计算了ISL9751在600KHz时,电感所需值为4.7uH,2A。
假设有另外一个IC,他的频率只有150KHz,那么我们可以计算出,电感所需值为:16uH,实际取值22uH,电感的峰值电流为1.85A。
  IC 的开关频率
  
  所取电感值
  
  电感允许的最大直流电流
  
  电感的尺寸
  
  电感的体积
  
  600KHz
  
  4.7uH
  
  2A
  
  3.7 X 3.5 X 1.65mm
  (以Murata  LQH44 系列为例)
  
  22立方毫米
  
  150KHz
  
  22uH
  
  2A
  
  8 X 8 X 3.8 mm
  (以murata  LQH88系列为例)
  
  243立方毫米
  
从上面这个表,我们可以看到,频率减小4倍,电感的体积需要增大11。这也是为什么有些电源用到的电感体积很大,有些又很小的原因。
Lili_11想了解各种类型电感的优缺点,我在这方面的知识也不是很多。只说一下DC-DC变换中两种最常见的,一种是环形电感,另一种是线轴型的。
环形电感,它的磁通辐射最小,绕制比较麻烦,一般在开关频率低,电流大的板子上比较常用。

                               
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线轴型电感,可以做的比较小,也可以做出贴片的。有些会在外层加一个磁屏蔽的外壳。一般在开关频率较高的板子上用到。

                               
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输出电容的选择
ISL97516规格书里推荐低ESR的多层陶瓷贴片电容。ESR的全称是Equivalent Series Resistance等效串联电阻。理想电容的电阻是为0的,但现实做不到,也就有了这个串联电阻感念,这里不多说了,感兴趣的可以自己找资料看看。
规格书里给出了计算公式:

                               
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说明:
ΔVo是输出纹波大小,这里我们要求<50mV,即0.05V
ESR为电容的等效串联电阻值,这里我们用0.002欧姆。后面会给个规格书大家看看
Co为输出电容值
Fsw是开关频率,我们用600kHz
D占空比,我们要选3.0V输入时的,D=0.4
这样输出电容值的计算公式:
Co=Iout X D /Fsw/(ΔVo-Iout XESR)=1A X 0.4 /600KHz/(0.05-1A X 0.002)=13.9uF
这样我们得出,如果纹波要小于50mV,电容的最小值为13.9uF,实际取值时我们要取大一些,选择22uF。
现在我们回头看下ESR的值是怎么来的。不是所有的厂商都会提供这个值。这里我找到村田Murata的电容规格书,1206贴片的,22uF。在频率在600KHz附近,ESR的值大概为0.002欧姆。这也是在上面的计算中我取0.002的依据。

                               
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这个是Murata电容的ESR,如果换成三星的,ESR大概是0.006.这样计算出来的电容值是15.1uF,同样实际应用时我们也取22uF。
如果我们不知道电容的ESR,我们可以简化电容的计算公式,在得出值的基础上选用大一级的电容。
简化后的公式:
Cout= Iout X D /Fsw/ΔVo= (Iout XD)/(FswX ΔVo)
ISL97516规格书还提到了,要加多一个0.1uF的电容,用来抑制高频噪声。
好了到这里,我们知道了如何选择输出电容。

肖特基(Schottky)二极管的选择
我们选择肖特基管时,需要注意下面这几个重要的参数:
1, Reverse Break down voltage, 反向击穿电压。肖特基管的这个电压必须高过,我们设计的输出电压。
2, forward current, 正向电流。这个值也需要高过我们刚才计算得出的,电感上的峰值电流1.88A
3, forward voltagedrop,正向压降。这个值则越小越好,越小,肖特基的损耗就越小,电源的整体效率就越高。
我们来看看实际选择的例子,假设我们手上有SS14和SSA24这两种管子,我们应该选哪个?首先要查一下他们的规格书。
SS14的:
我用红色标出了刚才那几个重要的参数,SS14的“Maximum average forward recitified current”正向最大平均电流是1A的,这个值,对于我们5V1A输出的电源来说,小了。之前计算的电感峰值电流会有1.88A。所以SS14不可以用(其他的2个参数都还可以,RMS voltage >5V ok)。

                               
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SSA24的,这个电流则符合我们1.88A峰值的要求。当然为了保险起见,你可以选择更大电流的。另外,SSA24的正向压降也比SS14的要小,这样效率会更好一些。

                               
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输入电容的选择。
ISL97516的规格书只是粗略的说了,输入电容最少要10uF,推荐用22uF和47uF,另外需加多一个0.1uF的电容,滤除高频噪音。电容是耐压值需要大于输入电压值。
这里就不再讨论详细的计算公式了。你只要遵循规格书上推荐的值就ok了。
环路的补偿(Loop compensation
规格书上推荐补偿电阻R3取2K 到 7.5K,补偿电容C5取3nF 到10nF。
具体的补偿参数如何计算,这里就不提了。比较复杂,要涉及到自动控制理论的零点和极点问题,要长篇大论才能说的清楚。(我也还没时间完全研究透)
剩下的是其他功能,比如软启动,频率选择等,我就不再啰嗦了。到这里,我们知道了升压电路里关键元件的计算和选择。
帖子里有许多计算公式,看上去都挺复杂的。这里有个简便的方法,就是用Excel的表格,把这些复杂的计算公式放到表格里,以后你只要输入必要的一些参数,就可以自动得出关键元件的计算值了。见下面的图,黄色是需要输入的基本参数,其他的是Excel根据你的公式自动计算出来的。

                               
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这里以ISL97516为参考,如果用其他IC,计算也都是差不多的。整个电路也十分的简单,一共12个元件。有兴趣的,不妨动手做一个出来。当然做的时候,要注意布线的合理性,这又是另外一个话题了。


如有问题,欢迎大家指正。
有空可以来新浪博客看看其他技术文章:http://blog.sina.com.cn/s/articlelist_1885171252_0_1.html

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  • TA的每日心情
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    [LV.6]常住居民II

    发表于 2012-6-25 18:02 | 显示全部楼层
    插个队,潜力帖

    希望兰州可以多列举几款,尽量简单的升压IC

    我所知道最简单的是如韵的CN5136,外围元件仅需3电容2电阻1电感,不过电流太小才500ma
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    该用户从未签到

     楼主| 发表于 2012-6-25 18:30 | 显示全部楼层
    本帖最后由 rollei120 于 2012-6-25 18:37 编辑
    tffu 发表于 2012-6-25 18:02
    插个队,潜力帖

    希望兰州可以多列举几款,尽量简单的升压IC

    所有的IC原理都是一样的,我先讲这个,它的规格书比较详细,大家可以对其原理有个深入了解。其他的IC都是遵循一样的计算原理的。
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    技术贴,先占个位
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    [LV.1]初来乍到

    发表于 2012-6-25 19:05 | 显示全部楼层
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    发表于 2012-6-25 19:18 来自手机 | 显示全部楼层
    前排就坐学习!
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    发表于 2012-6-25 19:35 | 显示全部楼层
    帮顶是必须的……先占位
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    发表于 2012-6-25 20:38 | 显示全部楼层
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    [LV.5]常住居民I

    发表于 2012-6-25 20:45 | 显示全部楼层
    geniuskim 发表于 2012-6-25 20:38
    想向楼主请教几个问题,希望不吝赐教,
    1.boost升压,同步的优势效率仅仅是效率提高吗?
    2.如果实现较大的 ...

    为什么不是极大200倍或甚大2000倍呢?
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    发表于 2012-6-25 20:46 | 显示全部楼层
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    [LV.4]偶尔看看III

    发表于 2012-6-25 20:48 | 显示全部楼层
    坐下来学习!!!
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    发表于 2012-6-25 20:51 | 显示全部楼层
    坐下来学习!!!
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     楼主| 发表于 2012-6-25 21:13 | 显示全部楼层
    geniuskim 发表于 2012-6-25 20:38
    想向楼主请教几个问题,希望不吝赐教,
    1.boost升压,同步的优势效率仅仅是效率提高吗?
    2.如果实现较大的 ...

    就我了解的知识来说:
    1, 同步整流就是为了减少在肖特基管上的损耗。因为MOS管在导通的时候,导通电阻可以做到很小。P=I^2 X R, 这样消耗功率就可以减小,以提升效率。
    2, 提高较大的电压(比如3倍),除了同步之外,我还不知道有什么更好的提高效率的方法。另外,电压高了,电流必然会小,在功率一定的情况下。如果你想在异步的方式下提高效率,可以考虑用2-3个肖特基并联,根据我的经验,效率可以提高1~2%。
    3, 如果要提高到20倍以上,我还没有这方面的实践经验,我觉得还是要用变压器的,至少我们需要考虑安全的因素。如果可以不用变压器,那么降压电路也同样不需要变压器了。变压器除了变压之外,还提供了安全隔离。关于效率,我觉得可能会和降压(有变压器)的情况差不多吧,60~80%,具体看功率而定。
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    发表于 2012-6-25 21:19 | 显示全部楼层
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     楼主| 发表于 2012-6-25 21:22 | 显示全部楼层
    geniuskim 发表于 2012-6-25 21:19
    十分感谢,似乎大升压比情况下,效率迅速下降啊...确实难为电感了...
    不过有时候只需要不太大的电流,所 ...

    效率下降,这个是物理的定律,没有办法改变的。
    如果升压的范围在IC的许可之内。我想是可以的。这个需要参考规格书。
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     楼主| 发表于 2012-6-26 13:14 | 显示全部楼层
    Pin脚的定义这些,我就不啰嗦了,大家可以看规格书。我重点讲一下“Applicationinformation”应用的信息。
    首先,我们来学习一下工作的原理。国外公司的规格书,写的都很详细,会把一些理论的东西附上,有助于工程师理解工作的原理。

                                   
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    图10(figure10)是一个抽象化了的升压(Boost)示意图,里面画出了所有关键的元件。简单来说,Boost工作时有2个循环。第一个循环(cycle),见图11(figure11)

                                   
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    第一个cycle里,内部的场效应管是导通的,肖特基管反向运作,如图中所示,MOS管短路到地,二极管相当于开路,输出端的电流不会回流。输出端的电流,靠Cout放电维持。输入电压Vin会通过电感L,电感的电流会以斜率Vin/L上升,在设个过程中,能量会存储在电感中。电感电流的变化量可以用下面这个公式(EQ.1)表示:

                                   
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    其中D是占空比(DutyCycle)
    到第二个cycle时,功率场效应管FET关闭,肖特基二极管正向导通,具体见图12(Figure12)

                                   
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    存储在电感L中的能量,开始释放,经过肖特基管D留到输出端,同时给输出电容Cout充电。肖特基管D位于电感L和输出Vout之间,因此电感L两端的压降近似为Vin-Vout(肖特基的压降很小,0.2v左右,可忽略)。于是电感L在第二个cycle中的电流变化量可用下面这个公式表示:

                                   
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    电感在这两次循环(cycle)中,存储和释放的电流应该一样(理想状态),于是有下面的公式:

                                   
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    这里我们可用得到一个很有用的公式:Vout/Vin=1/(1-D)。 稍微改变一下,我们可以得出占空比的公式:D=1-Vin/Vout。这在以后的计算中,我们会用到这个公式。

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    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2012-6-26 13:42 | 显示全部楼层
    看好楼主技术贴哦。。
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    [LV.Master]伴坛终老

    发表于 2012-6-26 14:14 | 显示全部楼层
    技术贴。记下来,谢谢了{:1_304:}
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