对于XP-G的筒子，7135*4的电能利用率比7135*3要高

riva · 发表于 2010-5-12 17:58

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XP-G在1A下的Vf典型值是3.3V，1.4A下是3.5V，而浅蓝头三洋室温20度、电流1.25A时放电电平基本都在3.5V以上。
对于7135电路，电压高于Vf越多，电路效率就越低。因此7135*4的电能利用率要高些。

wayio · 发表于 2010-5-12 18:04

同意这个观点

bh105401 · 发表于 2010-5-12 20:03

散热啊，我都把1.2A的63000改回1A了，烧了一个r5

xzz354 · 发表于 2010-5-12 20:10

怎么又跑出来一个名字电能利用率？不就是效率么要高效率就直驱吧不算开关桶身电阻压降那就是100%了

riva · 发表于 2010-5-12 20:58

散热啊，我都把1.2A的63000改回1A了，烧了一个r5
bh105401 发表于 2010-5-12 20:03

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烧掉的那个R5和基板之间以及基板和电路仓之间散热当时是怎么处理的？

bh105401 · 发表于 2010-5-12 21:23

没去看，我叫林总给我换了个。非主流的18650

xentre · 发表于 2010-5-12 21:43

不要把芯片效率和整个电路的效率混淆了

riva · 发表于 2010-5-12 23:45

不要把芯片效率和整个电路的效率混淆了
xentre 发表于 2010-5-12 21:43

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愿闻其祥

无怨无悔 · 发表于 2010-5-13 08:02

光效（LM/W）论坛有XD发过一个表格，基本就是电流越大光效越低

laomao0000 · 发表于 2010-5-13 16:08

问题是在1.4A下的LED光效下降不少

无怨无悔 · 发表于 2010-5-13 17:18

光源效率η＝φ／（φ＋p）

riva · 发表于 2010-5-13 22:35

问题是在1.4A下的LED光效下降不少
laomao0000 发表于 2010-5-13 16:08

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结温25度时，1.4A下光效为90lm/W，1A下光效为105lm/W

riva · 发表于 2010-5-13 22:43

对于XP-G这种典型Vf值较低的核心，如果采用7135电路，那么Vf越低，芯片发热量越小，但电路发热量越大，两者发热量总和应当基本恒定。因此Vf特别低的极品XP-G应该配其它类型的恒流的电路才有可能提高电池能量转化成光能的整体效率，如果搭配7135电路就有点浪费了。

289484769 · 发表于 2010-5-13 22:44

不明白是什么理论，乱！{:1_223:}

pla851 · 发表于 2010-5-13 22:48

挺深奥的，认真学习中

chengxinLED · 发表于 2010-5-14 01:04

进来跟前辈学习的

zzqzhangboy · 发表于 2010-5-14 01:15

原来如此学习了

无怨无悔 · 发表于 2010-5-14 06:40

13楼的理论是对的，导电率铂＞银＞铜＞铝，但实际应用中，低压线路用铜线，非沿海地区10kv线路大多用铝线，为什么铜线线损小不用铜的呢？因为成本高。63000板￥40,7135板￥15总效率差10%，让你选你选哪种？

laomao0000 · 发表于 2010-5-14 09:26

13楼的理论是对的，导电率铂＞银＞铜＞铝，但实际应用中，低压线路用铜线，非沿海地区10kv线路大多用铝线，为什么铜线线损小不用铜的呢？因为成本高。63000板￥40,7135板￥15总效率差10%，让你选你选哪种？ ...
无怨无悔发表于 2010-5-14 06:40

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人家比的是7135*3和7135*4

laomao0000 · 发表于 2010-5-14 09:38

XP-G在1A下的Vf典型值是3.3V，1.4A下是3.5V，而浅蓝头三洋室温20度、电流1.25A时放电电平基本都在3.5V以上。
对于7135电路，电压高于Vf越多，电路效率就越低。因此7135*4的电能利用率要高些。 ...
riva 发表于 2010-5-12 17:58

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结温25度时，1.4A下光效为90lm/W，1A下光效为105lm/W
riva 发表于 2010-5-13 22:35

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楼主的意思是用同样的电能得到更多的光通量（电子换光子）
问题是电压利用率的提升能不能挽回光效的下降
Vf的电压效率提升（3.5-3.3）/3.3=6.06%
光效的下降（105-90）/105=-16.67
结论是最终损失光通量=1-（1+6.06%）*（1-16.67%）=11.6%
得不偿失

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对于XP-G的筒子，71354的电能利用率比71353要高

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