使你的SONY CS2A不拒充，还能充镍镉

平流层

r203和r204是分压基准电阻,如果203也改4.7的话电压提高到3.02v左右,已经超过了单片的基准电压vdd,正常不正常我不知道,那得看程序怎么写的,光看电路是分析不出正常不正常的,不知道你怎么看出的....不是抬杠,但你不知道单片内程序规则的情况就说能正常十分的不靠谱.

国望堂

太好了！正要呢！

dao118

先收着，等有下一步结果再决定改还是不改

wenzhili

21# 平流层 实践出真知，理论计算：改后电压是2.5V，但实际我改的电压是2.45V（4.7K),不知你的3.0几V是哪来的，哈哈，R203不止可以4.7K还可以再大，只要电压不超过IC202的输出电压就行（IC202输出电压是3V，但我为什么不写“只要电压不超过3V就行”，因为元件的离散性，有的这个IC输出的电压不是3V，而是2.7到3.1V不等）

国望堂

r203和r204是分压基准电阻,如果203也改4.7的话电压提高到3.02v左右,已经超过了单片的基准电压vdd,正常不正常我不知道,那得看程序怎么写的,光看电路是分析不出正常不正常的,不知道你怎么看出的....不是抬杠,但你不知 ...
平流层 发表于 2009-12-23 13:14

                               
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单片的基准电压vdd不是有4754稳压成3.0V了吗？这个4754应该能承受升高的那部分电压吧？

xmdzshz

没有CS2A的进来学习下

平流层

21# 平流层 实践出真知，理论计算：改后电压是2.5V，但实际我改的电压是2.45V（4.7K),不知你的3.0几V是哪来的，哈哈
wenzhili 发表于 2009-12-23 13:27

                               
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2.12/(3.3/4.7),分压比例计算而来,不知道ic201是啥片,只能按一般分压推断

wenzhili

29# 平流层 不是按比例算这么简单的，因为IC201的内部取样部分是个恒流负载

平流层

单片的基准电压vdd不是有4754稳压成3.0V了吗？这个4754应该能承受升高的那部分电压吧？
国望堂 发表于 2009-12-23 13:28

                               
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正因为vdd是固定的3v,而且我不怀疑4754能不能承受,我只怀疑程序判停受影响而已,如果不改电压而改动r225和r226也能充的话就代表影响了判停而不是改变电压就能充了那么简单

平流层

我只是怀疑一般镍氢判停条件是否对镍镉适用,仅仅因为改了电压就能让适合镍氢的程序可以充镍镉?

wenzhili

31# 平流层 单片机不是靠电压高到一定值来判停的，你要明白

平流层

正因为镍氢和镍镉的-dv模式不一样我才有此一问.很多充电器明确说明镍镉和镍氢不兼容,有部分没说明不能镍镉,我没cs2a的说明书,而且听到过cs2a不能镍镉才有此疑问,否则他本身能镍镉我还怀疑程序干什么,我始终是怀疑判停问题而不是电路问题而已.

wenzhili

32# 平流层 这个怀疑有道理，镍镉的-Δv不如镍氢来的明显，所以容易误判，不过实践还是可行的，说明CS2A的判停还是很灵敏的

平流层

我说的电路问题也是从判停条件上来说的,现在电压参考点明显的变高了,电流也大了,不知道你说的工作点没变是从什么地方说的?

mpmpm

不做改动，内阻小的镍镉是可以充的。

wenzhili

36# 平流层 电压参考点本来就是就是变化的(随着充电时间后移，逐渐增高），电流变了吗？你再计算计算！

wenzhili

电流没有变的，哈哈

jwlili

真的这么简单？！