18元的宏硕伟充电电压改造

shark04 · 发表于 2014-5-19 16:04

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本帖最后由 shark04 于 2014-5-21 02:53 编辑

我的今天中午才收到，韵达走了7天在路上，在 GAOBO8016 的提示下，收到即拆开充电测电压，充满后达4.273V（还有一次4.275V），研究了一下线路，手绘充电部分图如下。

由图可见，充电是由MCU管理的， 9脚控制充电使能，6脚测输入电压，2,3脚分别测电流采样电阻R10两端电压，这样可以算出（测出）充电电流，但是没有调整功能，9脚没有采用PWM方式控制，输入电压越高，充电电流越大，实测5V输入，电流1A左右，5.3V达到1.5A左右，MCU只能测出电流，不能恒流控制，只能通过9脚控制开关。
同时，3脚因为测量了电池的电压，MCU在合适的时候会控制9脚关断充电，所以采样电阻R8,R9决定了充电终止电压。简单计算了下，在R8（200K）上并联了10M电阻一只，终止电压从4.273降于4.212, 算是完美了，看图。
更正：上面打删除线的的话有误，想当然了，当时没用测。今天用示波器测试了，结果证实是MCU用软件PWM调节电流，是恒流充电，PWM频率约61KHz。
补充：因为MCU根据2,3脚测量的电压差计算充电电流，所以R6和R8都要并联10M的电阻才能保持恒流充电电流不变。实测只并R8,电流1.4A，都并1.1A。

如果你的电压更高，可以并联5M，2M的电阻试试。

3003czb · 发表于 2014-5-19 17:12

跟风买了一个，打开包裹看了一眼后就扔到一旁吃灰了。

xsljy · 发表于 2014-5-19 20:53

支持折腾，支持一掉没

五道杠 · 发表于 2014-5-19 17:04

顶一个，不错。

GAOBO8016 · 发表于 2014-5-19 16:45

支持折腾、支持楼主这样的技术帝

三爷 · 发表于 2014-5-20 07:21

看看学习。。。

luckyvenz · 发表于 2014-5-20 13:42

支持一下！俺的刚到货，拆开一看确认是拆机电池，理由是正负极有电磨打磨过的痕迹。但外观不错，或为0循环拆机电池也说不定。

tyzj999 · 发表于 2014-5-20 13:54

还是取掉SS34串一个充电板更可靠

smallbear · 发表于 2014-5-20 13:55

这个看来买来直接送人的话，不太安全锕。

lzh7703 · 发表于 2014-5-21 12:41

支持楼主这样的

马踏飞雪 · 发表于 2014-5-22 11:05

支持楼主，三星线充的恒流阶段电压也是直上4.3X伏，停充后4.2。不知和这个是否同理

L555T_007 · 发表于 2014-5-22 11:31

LZ 用10M单并R8，1.4A充电电流也可以的。

如果把SS14 改成 PMOS ，跟现在的PMOS接成背对背，发热更低，
R8/R6 同并10M , R10再并一个0.1欧，配2A电源上2A充电也没问题。

这种充电方法的PMOS工作在开关状态，功耗不高，靠外部电源自己恒流限流，
跟MAX1879配开关电源或开关式恒流前级的特性一样(但不具备1879脉冲充电的精华)

其实降低开关频率，PMOS功耗更低。
但，这个方案本身是61KHz的非同步降压充电，只是【宏硕伟】的工程师发现，去掉电感和二极管也行，哈哈。没有进一步想到降低开关频率

因为现在的电源都是开关电源，这种开关充电模式并不会像线性电源供电那样产生额外损耗。

GAOBO8016 · 发表于 2014-5-22 12:02

L555T_007 发表于 2014-5-22 11:31
LZ 用10M单并R8，1.4A充电电流也可以的。

如果把SS14 改成 PMOS ，跟现在的PMOS接成背对背，发热更低，

请教怎么降低二极管的温度？请详细说明

L555T_007 · 发表于 2014-5-22 12:17

GAOBO8016 发表于 2014-5-22 12:02
请教怎么降低二极管的温度？请详细说明

是用PMOS换掉二极管。在这里，二极管只是起防电池倒灌电流的作用，题外话: 用于线性充电，不单是防倒灌，还多了转移发热的作用

你参考锂电池保护板的双NMOS背对背接法，
只是这里是PMOS而已。

新PMOS的D接输入，S跟Q1的S短接，G跟Q1的G短接，就行了

改小R4可以提高关断速度，有机会降低开关功耗。

GAOBO8016 · 发表于 2014-5-22 12:32

L555T_007 发表于 2014-5-22 12:17
是用PMOS换掉二极管。在这里，二极管只是起防电池倒灌电流的作用，题外话: 用于线性充电，不单是防倒 ...

太感谢了，还有一个问题，为什么这个二极管较直流同样电流下的温度高很多？

L555T_007 · 发表于 2014-5-22 12:41

GAOBO8016 发表于 2014-5-22 12:32
太感谢了，还有一个问题，为什么这个二极管较直流同样电流下的温度高很多？

...

相比于直流，脉冲电流峰值高，Vf高，所以功耗会高一些。
例如
1A*0.6v < 2A*0.7v*0.5

GAOBO8016 · 发表于 2014-5-22 13:00

如果用PMOS代换二极管，是不是把二极管去掉，然后按你讲的“新PMOS的D接输入，S跟Q1的S短接，G跟Q1的G短接”，就可以了吗，其他原件还要改动吗？

shark04 · 发表于 2014-5-22 13:25

GAOBO8016 发表于 2014-5-22 13:00
如果用PMOS代换二极管，是不是把二极管去掉，然后按你讲的“新PMOS的D接输入，S跟Q1的S短接，G跟Q1的G短接 ...

老兄，你还要折腾啊。
如果去掉这个二极管，降压缓冲没有了，充电脉冲瞬时电流5A都有可能啊，一个问题是电池能不能受得了，另一个问题是原来的MOS管（标0140I那个）估计也受不了。
另外，这个MOS驱动器过于简单，驱动效率不高，导通快，关断慢，1A的时候 MOS管都热，2A恐怕要烧。

GAOBO8016 · 发表于 2014-5-22 13:30

shark04 发表于 2014-5-22 13:25
老兄，你还要折腾啊。
如果去掉这个二极管，降压缓冲没有了，充电脉冲瞬时电流5A都有可能啊，一个问题是 ...

哈哈，生命在于折腾，不折腾这个论坛就没有存在的必要了

zac1988 · 发表于 2014-9-19 20:28

{:3_102:}看了半天没懂。。。

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