正德诚B50移动电源改进，防倒灌电路，兼谈MOS的非标准用法

nb603 · 发表于 2013-8-9 00:12

高手

flykite · 发表于 2013-8-9 00:19

高手阿

又学到了

adriangu · 发表于 2013-8-9 04:34

楼主说的移动电源关机后输出还有电压应该是boost电路电池电压直接走电感了，没理解和移动电源输入部分防反接有啥关系

福克斯 · 发表于 2013-8-9 06:34

好帖，技术型高手

Fireflying · 发表于 2013-8-9 08:44

本帖最后由 Fireflying 于 2013-8-9 08:58 编辑

adriangu 发表于 2013-8-9 04:34
楼主说的移动电源关机后输出还有电压应该是boost电路电池电压直接走电感了，没理解和移动电源输入部分防反 ...

这款移动电源的具体电路结构不清楚。实际情况就是短路那个肖特基的话，移动电源仍然能够升压和充电，但是停止升压（关机）时，输出口有电压。
那个肖特基并非boost电路的元件。接上防倒灌电路之后，移动电源关机，输出就没有电压了。
其实，很多时候，我们没有条件对某些电路做详尽分析，这时候只能把一些关键点作为黑箱，分析黑箱的特性和状态即可。这款B50的这个现象肯定是具体电路结构的原因，在输入口之后肖特基之前肯定还有别的电路，并且这电路跟输出口是有关联的，你用通常的电路去推测恐怕难以得到预期结果。

噬魂 · 发表于 2013-8-9 10:38

Fireflying 发表于 2013-8-8 19:35
据我所知，SI2301比较便宜，大概7分钱一个，SI2301的电流记得是2A的。我用的AO3401大约1毛8分一个，电流 ...

你用的这个是什么封装呢？不能在卖家面前表现的不专业。谢谢！

503006081 · 发表于 2013-8-9 10:49

Fireflying 发表于 2013-8-8 22:50

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那个是给NPN三极管做集电极负载直流通路负载的，如果不加那个电阻的话，由于MOS属于绝缘栅极结构，栅极相 ...

再次感谢LZ，让我这菜鸟又进步了{:1_292:}

iixin · 发表于 2013-8-9 12:09

好帖，回去参考一下，把我的设计改改试试。

wang108 · 发表于 2013-8-9 12:44

好贴，学习了

Fireflying · 发表于 2013-8-9 13:45

噬魂发表于 2013-8-9 10:38

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你用的这个是什么封装呢？不能在卖家面前表现的不专业。谢谢！

我这个是SOT-23封装，小功率应用还可以，大功率的话，这个封装不一定能行。

freegps · 发表于 2013-8-17 16:01

本帖最后由 freegps 于 2013-8-17 16:13 编辑

请教楼主，我用这个电路，能正常充电，但不能防反流，在正常充电过程中，将K1关断，还有22ma的电流反充过去，将电流表的表针断开再连上，又不会反充了。

充电电路.PNG

3R33电压，充电时4.67V, 反充时4.33（也是电瓶电压）
测S、G间电压充电是为4.36V 反充时为4.06V
8050管，B、E压降有0.606V 反充时 0.598V

R1，R2的选择，有什么要求？好象8050管没有及时关断？

Fireflying · 发表于 2013-8-18 22:58

本帖最后由 Fireflying 于 2013-8-18 23:02 编辑

freegps 发表于 2013-8-17 16:01
请教楼主，我用这个电路，能正常充电，但不能防反流，在正常充电过程中，将K1关断，还有22ma的电流反充过去 ...

R1和R2对8050基极进行分压偏置，取值要做到输入4.7V的时候让8050可靠导通，但电池端稍低的漏电压不足以让8050导通。
你这个现象说明分压太高了，电池端的漏电压仍然让8050导通了。
你可以尝试增加R1的阻值，减小R2的阻值。例如我用的R1为22k，R2为3.3k，在4.6V输入时可以正常工作：输入有4.6V时导通，输入为零时截止。
具体数值你要多试验。分压比太高，就是你现在这种现象，输入没有电压的时候仍然没有关断。分压比太小的话，输入电压正常却没有导通。

Fireflying · 发表于 2013-8-18 23:10

其实，对于你这个电路，还有一个思路，就是把R1上端接到正12V端，当然分压比应该更小，这样12V和4.3V的差距较大，阀值错开较远，比较容易得到合适的分压比。

freegps · 发表于 2013-8-19 12:17

本帖最后由 freegps 于 2013-8-19 12:25 编辑

Fireflying 发表于 2013-8-18 22:58

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R1和R2对8050基极进行分压偏置，取值要做到输入4.7V的时候让8050可靠导通，但电池端稍低的漏电压不足以让 ...

R1=22k,R2=3.33k，测试正常，能防反流。

三极管工作时BE电压为0.593V，能导通，比我想象的0.7V要低得多。按设计要求是多少电压能导通三极管呢？

S G间工作时电压有4V以上就可以了，对R4要求不高的。mos压降在0.01V以内（充电100ma时）

henmeng · 发表于 2013-8-19 12:21

虫子有心了，这个pcb雕刻的牛

mytomatoes · 发表于 2013-8-19 12:49

是不是短路肖特基之后就移动电源自己充自己了？？

qdliuji · 发表于 2013-8-19 15:38

仔细看了下这个电路不错，等有空也做几个。

jdsuchen · 发表于 2013-8-19 20:27

本帖最后由 jdsuchen 于 2013-8-19 20:29 编辑

请教楼主，MOS倒过来用有啥潜在问题不，搞不懂为啥串联式PWM太阳能控制器要用两个MOS串联来防倒灌

Fireflying · 发表于 2013-8-20 16:10

jdsuchen 发表于 2013-8-19 20:27
请教楼主，MOS倒过来用有啥潜在问题不，搞不懂为啥串联式PWM太阳能控制器要用两个MOS串联来防倒灌 ...

倒过来用有没有问题那要看具体电路，只要搞明白元件的参数和原理，接可以分析。具体到本电路，不会有啥别的问题。
至于太阳能充电电路，两个反串的MOS当中，至少有一个是阻止倒灌的，至于为什么用两枚而不用一枚，仍然要看具体电路和功能/性能的需求。我不太清楚太阳能充电电路，不好妄评。

Fireflying · 发表于 2013-8-20 16:13

mytomatoes 发表于 2013-8-19 12:49
是不是短路肖特基之后就移动电源自己充自己了？？

不是，前面我说了，短路肖特基以后，移动电源停机的状态，电池电压仍然能送到输出口，但是由于内阻大，而且电压低，会造成手机（下游负载）以为5V已经接通，触发充电，但实际上又充不进不去，反而加速电池放电。

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