这种能驱动N沟道MOS的驱动芯片是什么？

cyradg · 发表于 2021-1-19 08:55

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工作电压是一个范围，比如8~20V，那么箭头部分的驱动芯片是什么？应该是什么样的升压芯片？

ycg9603 · 发表于 2021-1-19 09:13

没看明白什么意思，这种接法不应该用pmos吗？或者nmos的话，负载在前面。这样用的话，的确得升压或者再用一路高压电源。

wanwenhao1 · 发表于 2021-1-19 09:23

将MOS管放在负极，就很容易实现开关回路了，正极电路中通过任意一个元（器）件都能开通MOS管。
无标题.png

拓荒牛 · 发表于 2021-1-19 09:33

这种设计,就是为了摘果子,结果找了一个比树还高的桌子,自己都爬不上去

cyradg · 发表于 2021-1-19 09:43

wanwenhao1 发表于 2021-1-19 09:23
将MOS管放在负极，就很容易实现开关回路了，正极电路中通过任意一个元（器）件都能开通MOS管。

...

你说的是单路，对于多路，一般是共地的，就会出现我这个情况。可以用P沟道MOS管，如果功率更大，就是N沟道MOS管。刚网上查了，这种电路叫做“MOS管自举电路”，原理就是以S为基准，通过电容，二极管，开关电路，对S极进行自举控制G极，目前我找到的芯片有EG2104M，是SOP-8封装的，有低端和高端输出，但是大了点，如下图，有哪位知道知道体积更小，比如SOP-5之类的只有高端输出的驱动吗？
升压.png

cyradg · 发表于 2021-1-19 09:47

拓荒牛发表于 2021-1-19 09:33
这种设计,就是为了摘果子,结果找了一个比树还高的桌子,自己都爬不上去

我的树肯定比桌子高，不同的场景不同应用，只是你没想象到而已。

cyradg · 发表于 2021-1-19 10:04

ycg9603 发表于 2021-1-19 09:13
没看明白什么意思，这种接法不应该用pmos吗？或者nmos的话，负载在前面。这样用的话，的确得升压或者再用一 ...

简单是用PMOS管，但是PMOS管普遍不如NMOS功率大。理想二极管的成品你去看下都是用NMOS管的，没有用PMOS管的。这个NMOS管子就是自举升压控制，也就是S极直接接负载，不是接地的。理想二极管芯片里自带自举电路，开始我也不太明白是怎么升压的，后来网上翻了几下才知道是叫“MOS管自举电路”

拓荒牛 · 发表于 2021-1-19 10:23

cyradg 发表于 2021-1-19 09:47
我的树肯定比桌子高，不同的场景不同应用，只是你没想象到而已。

哪里用想象啊,H桥就有自举升压部分嘛. 好多电路都有,设计芯片要这么考虑,独立元件这么搞不累吗?除非是实在找不到合适的芯片驱动了.

L555T_007 · 发表于 2021-1-19 10:35

这种高侧NMOS驱动芯片很少
倒是很多芯片带这种功能，笔记本锂电池保护芯片，充电宝芯片。

H桥自举升压驱动不能100%导通，必须开开关关给电容充电，用不了。

cyradg · 发表于 2021-1-19 10:43

L555T_007 发表于 2021-1-19 10:35
这种高侧NMOS驱动芯片很少
倒是很多芯片带这种功能，笔记本锂电池保护芯片，充电宝芯片。

EG2104就是带高、低侧的驱动芯片，“MOS管驱动”或“MOS管栅极驱动”应该有一类芯片吧？PMOS管普遍都是比NMOS电流小，我觉得这种NMOS管高侧驱动芯片应该有吧，不知道为什么会很少？难道又是像那种MOS管防反接电路一样，只会在专用的电路里面有，单独的不存在？

cyradg · 发表于 2021-1-19 10:53

拓荒牛发表于 2021-1-19 10:23
哪里用想象啊,H桥就有自举升压部分嘛. 好多电路都有,设计芯片要这么考虑,独立元件这么搞不累吗?除非是实 ...

兄弟，问个芯片而已，不是问你独立元件怎么做，没有这类芯片，你就直说，或者你知道有类似的芯片，有什么优缺点，那就介绍一下，没必要冷嘲热讽。我现在就是想在高侧控制NMOS管，就是电源切换而已，不是开关电源，对频率没什么要求。

machiavelli · 发表于 2021-1-19 11:19

先说说你要实现什么功能。如果是要负载电压稳定的话用LDO就行了。

cyradg · 发表于 2021-1-19 11:30

本帖最后由 cyradg 于 2021-1-19 11:32 编辑

machiavelli 发表于 2021-1-19 11:19
先说说你要实现什么功能。如果是要负载电压稳定的话用LDO就行了。

多路电源切换，也就是多路电源根据情况只有一路输出，如果有现成的控制NMOS管的芯片更好。我目前只能是多个NMOS（背靠背）管切换，如果NMOS都在低侧，电路是简单，但是不共地，我想NMOS都在高侧。LDO应该适合低电流输出吧。

L555T_007 · 发表于 2021-1-19 11:37

cyradg 发表于 2021-1-19 10:43
EG2104就是带高、低侧的驱动芯片，“MOS管驱动”或“MOS管栅极驱动”应该有一类芯片吧？PMOS管普遍都是比N ...

你看看你的要求啊
静态100%导通NMOS

EG2104 跟几十年前的IR21xx一样都是不能100%导通，只能做PWM

cyradg · 发表于 2021-1-19 11:42

其实多路电源切换，有芯片最好，否则多路切换NMOS管多路同时导通是个问题，也只是看看而已，不好搞就不搞。

machiavelli · 发表于 2021-1-19 11:52

本帖最后由 machiavelli 于 2021-1-19 12:02 编辑

cyradg 发表于 2021-1-19 11:30
多路电源切换，也就是多路电源根据情况只有一路输出，如果有现成的控制NMOS管的芯片更好。我目前只能是多 ...

多路电源切换电流有多大？

cyradg · 发表于 2021-1-19 12:11

machiavelli 发表于 2021-1-19 11:52
多路电源切换可以用3楼的电路。至于你说的共地问题，是指多路电源正极接在一起，怕电源之间短路吧。可以 ...

正极接二极管，如果二极管在大电流回路，二极管会有损耗的，所以NMOS管都在低侧，我觉得多路电源都是共正极的，它们的正极之间不能有任何隔离，这就有些问题，一般电路芯片设计是共地的，低侧多路NMOS管不共地，栅极电压如何去控制？因为多路电源电压可能不一样。另外，如果其他设备也使用了这里面的多路电源之一，其他设备一般是共地设计的，和多路电源设计不共地不一样，多路电源看起来好像没有电压输出，实际上正极还是连接的，只是断开了负极而已，但是对于外接设备而言，相当于其中一路电压接通了，有输出电压。所以最后我还是想多路电源共地设计，NMOS只能在高侧，这本来也是和其他设备共地设计兼容的。

machiavelli · 发表于 2021-1-19 12:25

本帖最后由 machiavelli 于 2021-1-19 12:30 编辑

cyradg 发表于 2021-1-19 12:11
正极接二极管，如果二极管在大电流回路，二极管会有损耗的，所以NMOS管都在低侧，我觉得多路电源都是共正 ...

刚才的回答有问题，现在更正一下。3楼的图可以用，不过要改成下面这个图。所有电源的正极连在一起，接到负载正极，负载负极经过N-MOSFET分别接到每个电源的负极。电源负极接二极管防止电源间短路。N-MOSFET的驱动电压要算一下选哪路电源的正极，使N-MOSFET可以可靠关断。

cyradg · 发表于 2021-1-19 12:26

machiavelli 发表于 2021-1-19 11:52
多路电源切换电流有多大？

10A+吧，其实PMOS管相对省事点，但是大电流的体积适中的PMOS不太好找。

cyradg · 发表于 2021-1-19 12:29

本帖最后由 cyradg 于 2021-1-19 12:33 编辑

L555T_007 发表于 2021-1-19 11:37
你看看你的要求啊
静态100%导通NMOS

不是太理解你说的不能100%导通，是指有时候该通道时根本没导通？还是指没完全导通？MOS管挺忌讳没完全导通，容易BOOM。我的用处是多路电源切换，应该还没达到PWM那种频繁切换的程度。

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