场效应管的功能到底是什么？

cswcwc001 · 发表于 2018-10-21 18:51

coolsky 发表于 2018-10-21 12:41
大功率三极管，可不可以这样理解

不是，场效应管也有小功率的，三极管也有大功率的，场效应管和三极管不同的是，三极管是基极有小电流，集电极就有大电流，存在一个放大倍数，所以是电流控制电流器件，场效应管是栅极有电压，漏极和源极之间就导通，是电压控制电流器件，三极管因为需要电流驱动，所以会消耗功率，场效应管只需要电压就能导通，不需要额外消耗功率

Lucky_pei · 发表于 2018-10-21 19:16

电子负载是工作在线性区的，对管子的转移曲线有一定要求，IRF250之类的管子好像比较合适

wlbx · 发表于 2018-10-21 19:48

场效应管不是电压控制型的三极管？

用户名被使用 · 发表于 2018-10-21 21:51

场效应管和三极管相似，但场效应管GS间电阻可以看成是绝缘的，因此属于电压控制类器件。另外场效应管导通是沟道里只有一种载流子参与，这点和三极管要区分开。GS开启电压要参考datasheet，一般开启电压2-3V就可以，完全导通需要更高点，mos管导通后，沟道电阻极小，导通电阻最少能做到几个毫欧。按照结构分为结型和绝缘栅型，其中又可以分为增强型和耗尽型，按照导电沟道又可以分为P沟道和N沟道，这点类似于三极管的npn,pnp。楼上几位回到的不是很清楚啊，场效应管过流能力强，开关电源用的很多。

用户名被使用 · 发表于 2018-10-21 21:56

pwm控制的开关电源中，mos管导通电阻小，相当于一个快速开关。放大电路中，mos管做的放大电路一般做为输入端前级，因为输入阻抗很多。有时候可以用做可变电阻（结型管）。东西可以活用嘛

dqp05 · 发表于 2018-10-21 22:55

本帖最后由 dqp05 于 2018-10-21 22:56 编辑

三极管是电流放电器件；
MOS是压控电阻器件；
可控硅是电流触发半导体开关；
继电器是电磁控制机械开关；

__ll_ww__ · 发表于 2018-10-21 23:20

dqp05 发表于 2018-10-21 22:55
三极管是电流放电器件；
MOS是压控电阻器件；
可控硅是电流触发半导体开关；

那一般的电磁继电器在受强烈震动的时候是不是会失控？

hellohello22 · 发表于 2018-10-21 23:32

场管整体的性能优于双极性三极管, JFET常用来做信号放大，但一个硬伤是放大倍数(跨导, 输出电流/输入电压)比较低, 一般只有几十mS，和双机型三极管天壤之别，MOS常用作开关

dqp05 · 发表于 2018-10-21 23:56

__ll_ww__ 发表于 2018-10-21 23:20
那一般的电磁继电器在受强烈震动的时候是不是会失控？

会的

__ll_ww__ · 发表于 2018-10-22 00:13

对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS电流变化而变化？

dqp05 · 发表于 2018-10-22 01:31

__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 00:13
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS ...

有影响的

hellohello22 · 发表于 2018-10-22 07:27

本帖最后由 hellohello22 于 2018-10-22 07:28 编辑

__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 00:13
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS ...

不会恒定，和ID有关，手册上很清楚‘’

但有的mos在栅极电压比较高的时候，导通电阻比较稳定, 实际上常见的三极管放大倍数也和Ic有关，有的管子可以做的比较稳定

aa218 · 发表于 2018-10-22 08:56

场效应管和三极管都可以理解为功率调制器，只不过场效应管用电压控制，三极管用电流控制。

__ll_ww__ · 发表于 2018-10-22 15:11

hellohello22 发表于 2018-10-22 07:27
不会恒定，和ID有关，手册上很清楚‘’

有的mos，如果导通电阻基本恒定的话，也可以同时当电流采样电阻来用吧？比如锂电保护用的DW01芯片好像就是通过判断电流流过两个mos的压降来判断过流的。

hellohello22 · 发表于 2018-10-22 15:28

本帖最后由 hellohello22 于 2018-10-22 20:31 编辑

__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 15:11
有的mos，如果导通电阻基本恒定的话，也可以同时当电流采样电阻来用吧？比如锂电保护用的DW01芯片好像就 ...

但温度特性很难恒定啊

手册有说，DW01外接的2个场管是控制通断，不是采集，过放采集是2脚(CS)，用一定时间内电压增大的幅度来实现，有2个参数，一是电压上升0.15v持续10ms, 还有一个是短路保护，电压上升1.35v持续5us, 这2种情况会触发断开电路

如果要验证，只能用示波器

__ll_ww__ · 发表于 2018-10-22 18:41

hellohello22 发表于 2018-10-22 15:28

登录/注册后可看大图

但温度特性很难恒定啊

手册有说，DW01外接的2个场管是控制通断，不是采集，过放采集是2脚(CS)，它不是 ...

不过DW01保护板，8205A mos并联的越多，过流保护电流就越大吧？一个8205A的保护板最大电流只有3A左右，所以有的保护板（或者充电宝电路的锂电保护部分）就会用很多个8205A。
mos并联的多，同样的压降，电流就大。

cswcwc001 · 发表于 2018-10-22 19:25

__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 00:13
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS ...

要看你是工作在什么状态，如果是线性区，那就变化很大，如果是工作在饱和区，那就比较恒定，但比取样电阻还是会差很多，保护板的MOS是工作在饱和区，用来做过流保护还是可以的，因为比如8A保护板，到10A才保护都没问题，但是当成取样电阻的话，实际8A显示10A，你觉得还有用吗？

__ll_ww__ · 发表于 2018-10-22 19:34

本帖最后由 __ll_ww__ 于 2018-10-22 19:37 编辑

cswcwc001 发表于 2018-10-22 19:25
要看你是工作在什么状态，如果是线性区，那就变化很大，如果是工作在饱和区，那就比较恒定，但比取样电阻 ...

我觉得过流保护电流应该不需要很精确，过流保护的电流值差一点问题也不大吧。网上查了一下保护原理看看。

捱多年 · 发表于 2018-10-22 20:03

wlbx 发表于 2018-10-21 19:48
场效应管不是电压控制型的三极管？

电压控制的三极管那叫IGBT不叫场效应管。

hellohello22 · 发表于 2018-10-22 20:20

本帖最后由 hellohello22 于 2018-10-22 20:26 编辑

__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 18:41
不过DW01保护板，8205A mos并联的越多，过流保护电流就越大吧？一个8205A的保护板最大电流只有3A左右，所 ...

电压跌落大不大，还是要看负载，如果负载电流小，并10个mos管也不会触发保护

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[电子电路] 场效应管的功能到底是什么？

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