benxiong22 发表于 2008-10-8 17:37

看了555007在54楼的分析,确实有个问题没看明白
电池端的Vpp 400mv,电流1A,因为测试笔直接靠在电池端面上,这400mv没有线阻的贡献,单单电池内阻搞出来这么高的话,那不是单电池内阻就有400毫欧了?还是其他的什么原因呢?

[ 本帖最后由 benxiong22 于 2008-10-8 17:54 编辑 ]

benxiong22 发表于 2008-10-8 17:40

为什么你显示在线,而我显示是离线的?

L555T_007 发表于 2008-10-8 18:02

我又仔细看你的示波器图片,占空比高达97%

还是搞不懂你为什么那么特别---要AC档测量电流采样电阻上直流信号

你说的Vpp应该是电流采样电阻上,而不是电池电压,你的那段说明有点跳跃,搞得我都理解错了
X10档 1A=200mV,实际上应该20mV
图片一
占空比 应该是50%400mV=40mV
40mV*0.5=20mV   万用表测得19.8mV基本符合

图片二认真看,那条下降线应该是关断时间
占空比 应该是97%400mV=40mV
40mV*0.97=38.8mV万用表测得38.9mV 基本符合

占空比高达97%这样产生的电流有效值/发热/损害跟100%有很大差别么?

开关充电模式 跟 开关电源(通常是stepdown)充电模式 不一样。
开关电源是通过电感等储能元件来缓冲和变换能量,电流峰值和电压峰值远远低于开关直接接通输入端和输出端
大家不要看到 [开关] 就以为高效率什么的。

benxiong22 发表于 2008-10-8 18:15

ls眼睛也够毒的
那么模糊的图也能数出97%的值来,呵呵

L555T_007 发表于 2008-10-8 18:15

又及

即使图片二有非常短的关断时间,也可能是因为电池比较满电而且串联阻抗大导致Vbatx>4.2V,用我的6A电池在3.3V充2A电流决不会令Vbat〉4.2V

也不排除MAXIM出安全考虑,增加短时间关断来测量真实电动势-----我之前也说过

L555T_007 发表于 2008-10-8 18:18

说白了

即使我手上没有实物可以测试
这些图片依然能证明试验1和2 的结果将会跟我说的一样,我所理解的MAXIM脉冲充电机理是基本一致的

我的观点依然是
MAX1879在电池端电压(内部电动势+内阻*充电电流)<4.2V时,PMOS是一直导通的

如果有人认为 占空比高达97%这样产生的电流有效值/发热/损害跟占空比100%有着50%的差别,(电流低一倍/发热低一半),
认为我的观点是错,请跟贴说明,我就发帖向zhouling认错!!!

benxiong22 发表于 2008-10-8 18:19

晚上看看1879的pdf,如果不是在关断时检测电压的话
打算自己用494做一个,利用494的两路输出之间存在死区时间,一路输出用来充电,一路输出用来检测电压。。。

L555T_007 发表于 2008-10-8 18:25

MAX1879时刻都在检测电压

MAX1879时刻都在检测电压
-----导通时测量的是端电压,包括内阻/阴线电阻/电池夹接触电阻的压降
-----关断时测量的是端电压=电动势

MAX1879在用USB 5V 和带限流600mA~1A的5~9V开关电源,非常合适。
不要因噎废食。

benxiong22的TL494用法可能有问题。

benxiong22 发表于 2008-10-8 18:29

关断时检测电压,低于4.2时恒流充,到了4.2就触发电压误差比较器或者提高死区控制电压来减小占空比,大侠们看看可行不?

[ 本帖最后由 benxiong22 于 2008-10-8 18:33 编辑 ]

benxiong22 发表于 2008-10-8 18:32

随时都在检测电压没关系呀,我只关心用来控制占空比变化的是导通时的端电压还是关断时的电动势

天狼晓月 发表于 2008-10-8 20:42

MAX好像有中国工程师吧.....我们干脆装成开发者发函给他们工程师......

zhouling 发表于 2008-10-8 23:23

我已经没兴趣和不讲理的人争论不止了,为避免其他人着了你的误导,才说明下,电池是两节,一节3.7V,一节是没电的,这个正常人都不会理解错,怎么就LZ理解不到?
即使是占空比97%,接近理想的环境下最大充电电流也只有2A,对于18650连1C都没到,此时18650没有明显温升。
另外最后一次明确告诉你,FET不是等到1879的bat端到了4.2才关断的,
坛子里很多是高手,从头到尾看这个帖子,理在哪儿自然是明白。

zhouling 发表于 2008-10-8 23:24

回复 61楼 benxiong22 的帖子

呵呵,400mv是示波器测出来的四线电阻两端的,X10档,实际是40mv

benxiong22 发表于 2008-10-8 23:42

预充电阶段
快速充电阶段——每隔2ms关断mos检测一次电压,电动势<4.2V
top-off 阶段——1/8>占空比>1/256且电动势>4.2,固定34ms的minnimum on time脉冲充电,充电脉冲过后电容开始放电并关断mos检测电压,接近4.2v时又来一个on脉冲。。。随着电动势的不断增加,电容放电至4.2v的时间越来越长,因此占空比不断下降中
done阶段——占空比<1/256
是不是这么回事的?

[ 本帖最后由 benxiong22 于 2008-10-8 23:51 编辑 ]

benxiong22 发表于 2008-10-8 23:54

我想知道它和同电流的恒流恒压充电器比较充电周期的测试结果
1C电流常温下总充电时间能不能减少20%?

L555T_007 发表于 2008-10-8 23:56

还真不知道谁不讲理呢

电子基础真是欠缺,AC档测DC.

即使你认为97%跟100%的效果天共地
但电流难道就不会超过2A?
97%=2A,100%=3A?还是5A? or 损坏?

为什么不敢限流3A甚至5A去测一测,看看电流是否也同样维持3A/5A-------我相信低内阻的好电池也定也跟着上3A/5A,我都作了实验,数据实实在在。
也不要增大串接阻抗导致端电压提前上升到4.2V,这样的实验结果完全无意义。
-----------你自己的说明糊里糊涂,还说正常人都明白,你没改帖前谁看得懂?

你根本就不敢按我的说法去做一做,你认为很困难?why?
也不敢买样品给我,why?
-----事实上我已经找到你的掏包地址,只不过你还不愿意PM告诉我.

除了你没人敢说我错了。

我也搞过航模的动力锂电池/NIMH电池和充电器,多少有点经验。

[ 本帖最后由 L555T_007 于 2008-10-9 00:03 编辑 ]

benxiong22 发表于 2008-10-9 00:05

要不搞一块来给我做个测试吧
我也想看看具体的一些波形

L555T_007 发表于 2008-10-9 00:06

回复 74楼 benxiong22 的帖子

快速充电阶段,每2ms检测一次电压,但不是每2ms关断一次PMOS。

benxiong22 发表于 2008-10-9 00:14

the MAX1736 periodically turns the P-channel
MOSFET off and checks the voltage at IN. During fast
charge, this occurs once every input detection interval
(20s with CCT = 0.33μF). During pulsed top-off, input
detection occurs more frequently and is continuous
when the MOSFET is off
我看1736好像是每隔20s关断检测的呀,1879不是这样的么?

L555T_007 发表于 2008-10-9 00:43

回复 79楼 benxiong22 的帖子

这个不一样
因为PMOS导通时,Vin被拉低到和Vbat一样,只能每20S断开PMOS来检测Vin, if Vin<Vbat就表明外部电源撤掉了,进入低功耗模式。
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