threecai 发表于 2017-2-4 11:11

学习了~~

whseen 发表于 2017-2-4 11:14

这个可以忽略，都是毫欧级别的，如果是欧姆级别管子早就烧了。

怒独僧 发表于 2017-2-4 11:25

看了大家的回复基本明白了。
我遇上那次3MOS不行的情况，可能是碰巧正好遇到了质量差的保护板（MOS质量较差或者散热不好）导致的。
看来啥东西不能全凭感觉凭经验啊，得多学习理论，否则很容易受个例的影响。

平流层 发表于 2017-2-4 12:58

原因很简单,mos有饱和电流限制,超过饱和电流后也不会再增大电流了,表现就是等效内阻变大,耗散功率变大,高过一定值就烧.实际不是内阻问题,在饱和区域以内内阻几乎不变.
半导体载流子满负荷而已,不要卡着电流上限用mos.

wave02 发表于 2017-2-4 13:54

电流越大，内阻会略微增加。温度影响更明显，不过常温到100度也就增加1倍。

我感觉你的这个是Vgs是电压不够高造成的。这个电压会明显的影响内阻。

zhqsoft 发表于 2017-2-4 16:12

wave02 发表于 2017-2-4 13:54
电流越大，内阻会略微增加。温度影响更明显，不过常温到100度也就增加1倍。

我感觉你的这个是Vgs是电压不 ...

是的不同的VGS驱动电压对于大电流时内阻变化曲线影响时相当大的。


Junyee 发表于 2017-2-4 19:24

和尚混论坛也有些年头了。
不该问这种问题啊。

电阻都会随温度变化，导通后的MOS也一样。
具体可以参阅MOS手册。

wczmj 发表于 2017-2-19 14:11

和尚 有福利啦 看这回你能吃下多少？{:5_589:}
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shk_136 发表于 2017-2-19 15:59

栅极驱动能力弱就会有你说的这个情况。类似于三极管的基极电流小，不能达到深度饱和。

mailthon 发表于 2017-2-20 17:31

电流大了，mos退出饱和区了，内阻那是变得大了。
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查看完整版本: 求教：MOS管的导通电阻会随着电流增加而增大吗？