[帖图]猜猜这是什么:)[公布答案]
<p><br />这个是我定购的mcu，型号是ATTiny25</p><p>因为商家没有直插和SO-8的存货，所以只好定购了MLF/QFN封装的版本。这个图是我把QFN封装通过一小片万用板和排针“转接”成直插的，方便烧写程序和搭建测试电路的。</p><p>新的支持高电压的LED驱动电路正在设计中。预计可以支持15V或者更高电压，包含从单18650到4*CR123A的电压范围。</p><p>MCU控制多档/记忆等功能。。。。</p><p>使用PWM直驱NMOS，MAX4173高端电流检测。。。成本比较高。</p>[此帖子已经被作者于1182913450编辑过] 8677? MAX8677 还有好多脚没焊啊? MAX8677 有24脚。。 机械化甲虫部队补给坦克。 <div class="quote"><b>以下是引用<i>Paul73</i>在2007-06-28 09:41:46的发言：</b><br /><p></p><p></p><p>效率难做高。</p><p>1）pwm 频率做不高</p><p>2）mcu直驱nmos,开关损耗太大，mcu输出估计在5V,驱动15v工作的nmos是否真的全导通也怀疑，</p><p>也许本人知识差，瞎想。</p><p></p></div><p></p><p>1，tiny25具有高速PWM，最高频率500kHz。另外频率高低和效率关系不大，高频率带来的优势是可以使用小电容和小电感，体积显著缩小。mos管在高频下的开关损耗实际上是增加了。</p><p>2，mcu直驱nmos为什么损耗大？？我的nmos在4.5Vgate电压下Ron典型值35mOHM，怎么可能不能全导通？？</p><p>我做的1.0版用tiny13的PWM快速模式，频率仅50kHz，驱动3W输出的时候电路板只有微温而已,不仔细根本感觉不到。</p><p> </p> <div class="quote"><b>以下是引用<i>Paul73</i>在2007-06-28 11:20:49的发言：</b><br /><p>tiny25 没用过，想来有PLL 那就对了。如频率低，电感必然要大，线要细，磁心要大，于是线损和铁损就大。实际上频率高点比低点的要容易些。</p><p>不知道你的35mOHM是否是实际测得的，反正我没有做到过。mcu直驱nmos时，在上升沿由于内部上拉电阻太大（我测算下来约33K）导致变化不陡，所以有较大的开关损耗。当然你可外接上拉电阻，但上拉电阻上的损耗也还是要考虑的。</p><p></p></div><p>我要晕死了。。。频率低，电感要大是没错，但是并不会因为大而用细线。。线甚至要更粗，用大体积的电感就是了。。。线损是不会增加的。。。铁损主要有两个方面，一个是漏磁，一个是涡流损耗，前者实际上只和磁心的结构和性能有关，和体积关系不大，，而后者随频率升高而增长。 </p><p>频率高引起开关损耗增加却是必然的，每次开关的损耗基本是固定的，1MHz和100kHz相比，开关损耗基本就是简单的增加了10倍。而包括肖特基在内的其他器件的损耗，也随着频率升高而增长。 </p><p>频率高，效率就高的说法，是基于体积固定的场合，高频使得电感和电容的体积急剧减小，因而同样体积下，高频电路的效率比低频要高，但是在体积无制约的条件下，低频反而更有优势。这就是为什么市电采用50/60Hz而不使用50k/60kHz。电源行业通常使用半砖，1/4砖等等作为规格，潜在的含义就是体积固定，大家拼功率密度和效率，所以高频自然有优势。 </p><p>另外mcu直驱nmos并不是用上拉电阻驱动，而是io口输出高电平，对tiny13来说，这个上拉能力大概等效于30～50欧姆左右上拉电阻，对gate来说已经足够了。实际上在电源应用中，通常会使用电阻串连在gate上，以限制gate电流。。 </p><p>35mOHM的nmos，型号是irlml2502，实际上电源用的nmos也有10mOHM以下的，在上百安培下也只有1V左右压降，只是多数封装很大，用在手电筒上太夸张，而且要求的gate电压也偏高。 </p><p> </p>
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