不知道现在在中国国内最大功率的便携式是多少mw

lililofan 发表于 2006-7-12 05:48

不知道现在在中国国内最大功率的便携式是多少mw？（不限波长）不方便可以pm一下

电子迷 发表于 2006-7-12 06:22

已经联系了7W的808,很贵,要求波长精度2nm,被告知加价50%,因为YV04的最佳吸收波长在808.5nm,带宽是10nm左右,本系统准备采用单片机控制温度,精度0.1度,LD耗电14W,半导体制冷耗电10W,总耗电24W,用支持高倍率放电的18650,容量1600mah,越能持续工作20分钟.

rc5 发表于 2006-7-12 06:23

半导体制冷也很费电,索性上水冷算了，以后升10瓦的绿光冷却都绰绰有余。

冰冻小章鱼 发表于 2006-7-12 06:25

到时候借我搞两天。哈哈

电子迷 发表于 2006-7-12 06:31

本来还想加个振镜可以用激光输出文字,通过蓝牙模块和PDA或手机连结以便输入文字,但这样体积就做不小了,不过这个可以做个附件加在外面.

哑铃发表于 2006-7-12 06:35

太夸张了吧，考虑下用液氮制冷

小雨发表于 2006-7-13 05:24

电子迷，强烈佩服你！你的邮箱是否是满了？

电子迷 发表于 2006-7-12 06:06

我正在做1.5W的532,半导体制冷加风冷,用7W的808管子,用INOVA X5的外壳,扩孔用18650供电!如果不想要绿光,可输出7W808nm的红外(聚焦不是很好)或3W1064nm(良好准直)的红外激光!

冰冻小章鱼 发表于 2006-7-12 06:09

Executor 发表于 2006-7-12 06:16

TUNGUSKA 发表于 2006-7-12 07:30

这么大功率为什么还要用电筒壳呢?
可以确定的说,散热绝对不行,7W发热的LD,加上制冷片,热量有近20W,这个功率手电大小的风冷是肯定散不出去的.

xangel 发表于 2006-7-12 15:15

lymex 发表于 2006-7-12 17:37

<DIV class=quote>以下是引用电子迷在2006-7-11 22:06:21的发言： 我正在做1.5W的532,半导体制冷加风冷,用7W的808管子,用INOVA X5的外壳,扩孔用18650供电!如果不想要绿光,可输出7W808nm的红外(聚焦不是很好)或3W1064nm(良好准直)的红外激光!</DIV>
<DIV class=quote>电子迷在2006-7-11 22:22:53的发言： 已经联系了7W的808,很贵,要求波长精度2nm,被告知加价50%,因为YV04的最佳吸收波长在808.5nm,带宽是10nm左右,本系统准备采用单片机控制温度,精度0.1度,LD耗电14W,半导体制冷耗电10W,总耗电24W,用支持高倍率放电的18650,容量1600mah,越能持续工作20分钟.</DIV>
支持！我感兴趣，什么时间能出样机？ 看来大功率不容易，最好做成1064和532比较方便的可转换的，而且是用户可换镜头的。
另外请问，在偏离808.5nm后，YV04的吸收会很快下降吗？温度对最佳吸收波长影响大吗？需要多长时间的预热？

电子迷 发表于 2006-7-12 21:34

<DIV class=quote>以下是引用lymex在2006-7-12 9:37:24的发言： 
<DIV class=quote>电子迷在2006-7-11 22:22:53的发言： 已经联系了7W的808,很贵,要求波长精度2nm,被告知加价50%,因为YV04的最佳吸收波长在808.5nm,带宽是10nm左右,本系统准备采用单片机控制温度,精度0.1度,LD耗电14W,半导体制冷耗电10W,总耗电24W,用支持高倍率放电的18650,容量1600mah,越能持续工作20分钟.</DIV>
支持！我感兴趣，什么时间能出样机？ 看来大功率不容易，最好做成1064和532比较方便的可转换的，而且是用户可换镜头的。
另外请问，在偏离808.5nm后，YV04的吸收会很快下降吗？温度对最佳吸收波长影响大吗？需要多长时间的预热？ </DIV>
是1064和532可转换的,用两块晶体,一块是YVO4和S-KTP的胶合晶体,一块是YVO4单晶体,最外面车个罗纹,可上20mmUV镜(须自制) 
在偏离808.5nm后，YV04的吸收会很快下降,小于803或大于813后效率就很低了,所以现在市场上很多原器件一样的激光器输出功率不一样,比如30mw.40mw,50mw用的晶体和LD都是一样的,而输出不同,主要原因是LD的波长有离散性造成,而波长可以用温度控制来校正,所以温控是很重要的,我准备用单片机做温控,自动初始化(就是自动找到最佳温度并存储),初始化每年做一次就可以了 
晶体的工作温度对吸收是有很大影响的,YVO4温度较低时转换效率高,而KTP在温度较高时效率高,这是个矛盾,所以最好的方案是YVO4和KTP分别控温,YVO4一般最佳温度在10-30度(,具体的温度跟晶体掺杂浓度有关),KTP需要温度匹配和切割角匹配! 
预热时间跟外界温度有关,不过想我这么大的功率,预热应该很快,呵呵
[此贴子已经被作者于2006-7-22 14:42:40编辑过]

Executor 发表于 2006-7-12 21:38

<DIV class=quote>以下是引用电子迷在2006-7-11 22:22:53的发言： 能持续工作20分钟.</DIV>
觉得还是脉冲式的好。瞄准目标，一个脉冲上去，不管是蚊子苍蝇蟑螂老鼠统统挂掉，如果准头好的话，连周围的东西都烧不到。

电子迷 发表于 2006-7-12 21:43

<DIV class=quote>以下是引用TUNGUSKA在2006-7-11 23:30:36的发言： 
这么大功率为什么还要用电筒壳呢?
可以确定的说,散热绝对不行,7W发热的LD,加上制冷片,热量有近20W,这个功率手电大小的风冷是肯定散不出去的. </DIV>
热量有近23W,呵呵,但我有信心把它散出去!凭借一颗5000转的直流无刷电机!毕竟也就连续工作十几分钟!

TUNGUSKA 发表于 2006-7-13 00:52

<DIV class=quote>以下是引用电子迷在2006-7-12 13:43:05的发言： 
热量有近23W,呵呵,但我有信心把它散出去!凭借一颗5000转的直流无刷电机!毕竟也就连续工作十几分钟!</DIV>
手电上能装的最大也就是4CM风扇,以台达的产品规格看,5000转是4CM中最小的一款,风量少的可怜.
还有散热片,能装在手电上的散热片也远远不够23W的散热(对比P3时代的CPU散热就知道啦,P3空闲时就是20多瓦).
建议你先去买个金封大功率电阻,实验散热成功了再设计激光电筒不迟.

rc5 发表于 2006-7-13 04:36

14W的LD用10W的制冷片恐怕不够, CPU制冷的时候差不多要CPU发热两倍功率的半导体制冷片才能保证20度。

愚人发表于 2006-7-13 09:21

极感兴确。

lymex 发表于 2006-7-14 21:42

<DIV class=quote>以下是引用电子迷在2006-7-12 13:34:46的发言： 
是1064和532可转换的,用两块晶体,一块是YVO4和S-KTP的胶合晶体,一块是YVO4单晶体,最外面车个罗纹,可上20mmUV镜(须自制) 
在偏离808.5nm后，YV04的吸收会很快下降,小于803或大于813后效率就很低了,所以现在市场上很多原器件一样的激光器输出功率不一样,比如30mw.40mw,50mw用的晶体和LD都是一样的,而输出不同,主要原因是LD的波长有离散性造成,而波长可以用温度控制来校正,所以温控是很重要的,我准备用单片机做温控,自动初始化(就是自动找到最佳温度并存储),初始化每年做一次就可以了 
晶体的工作温度对吸收是有影响的,温度高了易有灰斑,温度太低效率也低,一般最佳温度在15-30度(具体的温度跟晶体掺杂浓度有关) 
预热时间跟外界温度有关,不过想我这么大的功率,预热应该很快,呵呵 </DIV>

太好了，原来如此。温度变化1度大约谱线能移动多少？
另外很关心到底什么时间能出样机，以及出售价格。

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