vhsuhs 发表于 2022-1-12 22:05

求教：IGBT能不能替代MOS

70W电源mos管炸了，手头只有电磁炉中的25N120，不知道能不能用这种IGBT直接替代MOS

iso 发表于 2022-1-12 22:14

我也想知道这原件是否有其它用途 库存堆里有几个呢

whseen 发表于 2022-1-12 22:15

最大开关频率不够容易烧，好像工业变频器IGBT用的较多，频率比开关电源电磁炉低。

dqp05 发表于 2022-1-12 22:33

不可以

xmasjacky 发表于 2022-1-12 22:48

IGBT结电容比较大吧，开关电源需要mos快速响应的。

myydno1 发表于 2022-1-12 22:52

一般不能！

C.Azrael 发表于 2022-1-12 23:00

不可以，一般情况下驱不动

toyboy 发表于 2022-1-12 23:24

本帖最后由 toyboy 于 2022-1-12 23:31 编辑

有共通性，部分区域（型号）可以替用！

IGBT是在MOS的基础上，由MOS+晶体管复合而成，类似于以前的达琳顿管（晶体管+晶体管）， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。. GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。. IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。. 专业名字为绝缘栅双极型功率管 。



总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。


可以参考下面网站的解释：区分场效应管与IGBT管

http://www.kiaic.com/article/detail/2226.html

满江红 发表于 2022-1-13 05:39

GTR的全称是什么？
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