cyradg 发表于 2021-1-19 12:31

machiavelli 发表于 2021-1-19 12:25
刚才的回答有问题，现在更正一下。3楼的图可以用，不过要改成下面这个图。所有电源的正极连在一起，接到 ...

其实我现在的就是PMOS管方式，我主要还是想共地模式，和其他设备兼容，只是想改成高侧NMOS，如果用高侧NMOS更困难或更不稳定，那还不如用PMOS。

machiavelli 发表于 2021-1-19 13:01

cyradg 发表于 2021-1-19 12:31
其实我现在的就是PMOS管方式，我主要还是想共地模式，和其他设备兼容，只是想改成高侧NMOS，如果用高侧NM ...

要共地只能用PMOS，可以并联几个增加通流能力。

greatadoqq 发表于 2021-1-19 13:51

cyradg 发表于 2021-1-19 12:31
其实我现在的就是PMOS管方式，我主要还是想共地模式，和其他设备兼容，只是想改成高侧NMOS，如果用高侧NM ...

如果空间允许，我觉得不如再弄一个专门控制G极的独立电源，简单可靠，如下图

cyradg 发表于 2021-1-19 14:16

本帖最后由 cyradg 于 2021-1-19 14:18 编辑

greatadoqq 发表于 2021-1-19 13:51
如果空间允许，我觉得不如再弄一个专门控制G极的独立电源，简单可靠，如下图

...
独立电源，这个还要额外再加一组电源，有点麻烦。

cyradg 发表于 2021-1-19 15:00

NE555的仿真，挺麻烦的，原件多了，并且电压低了还不行，先放放再说。{:5_589:}
1、截止。

2、导通

拓荒牛 发表于 2021-1-19 15:58

cyradg 发表于 2021-1-19 15:00
NE555的仿真，挺麻烦的，原件多了，并且电压低了还不行，先放放再说。
1、截止。


我只是举例说你思路,你倒品出讽刺的味道了.
你这个NE555的电路,驱动大电流的NMOS还是有困难的.


kinjiyou 发表于 2021-1-19 16:41

专用高边驱动。自升压用在防反。。。

电流特别大才这么用，芯片毕竟有风险。。。小电流都是用PMOIS

今日头条优惠 发表于 2021-1-20 23:37

{:5_639:}

LKPN 发表于 2021-1-21 01:05

5楼的驱动芯片自举电压需要PWM信号才能建立起来。

benxiong22 发表于 2021-1-21 06:38

有这种高侧驱动的芯片，电流几十A木有问题

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cyradg 发表于 2021-1-21 10:35

LKPN 发表于 2021-1-21 01:05
5楼的驱动芯片自举电压需要PWM信号才能建立起来。

IR2104芯片在Protesu 8.11版本里有仿真模型，仿真了一下的确是这样，IN为高电平时，只会自举一次，不会持续自举，所以需要PWM信号，适合开关电路，不适合我说的场景。

cyradg 发表于 2021-1-21 10:39

benxiong22 发表于 2021-1-21 06:38
有这种高侧驱动的芯片，电流几十A木有问题

--来自论坛助手 iPhone客户端

哪种芯片能介绍下吗？
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查看完整版本: 这种能驱动N沟道MOS的驱动芯片是什么？